Mit der Column Address Strobe Latency (englisch, kurz CL oder CAS Latency), auch Speicherlatenz genannt, wird die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem DRAM-Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten bezeichnet. Die CL gibt an, wie viele Taktzyklen der Speicherbaustein benötigt, um die während des CAS gelieferten Daten zu verarbeiten, bevor er weitere Befehle entgegennehmen, bzw. das Ergebnis mitteilen kann. Je höher der CL-Wert, desto mehr Taktzyklen werden für die Verarbeitung benötigt, womit auch die davon abhängende Verzögerung größer wird.

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Column Address Strobe Latency
Dymanic Random Access Memory (DRAM) # CAS